即动态随机存取存储器，它和SRAM(静态随机存取存储器)一样都是常见的系统内存，也就是说我们个人电脑里的内存条通常都是DRAM。但是DRAM和SRAM两者之间有着很大的区别。其中最大的区别就是DRAM的地址总线接口与SRAM的不同。DRAM使用了dram地址复用技术。也就是行地址与列地址分时复用技术，这就是dram的关键技术所在。主要原因是由它的硬件电路决定的。
DRAM与CPU的接口（寻址方式）
举个栗子，EM63A165TS是EtronTech公式的一款DRAM芯片，容量为16M*16Bit，分成四个Bank，每一个Bank为4M*16Bit。但是，观察它的芯片管脚图，你就会发现它的地址线只有13根（A0-A12）和两根Bank控制线。13根的控制线按照SRAM的寻址方法，每个Bank只有2^13=8K，远远没有达到4M。这是为什么呢？
原因在于，DRAM普遍采用的是行与列地址分时复用技术进行寻址。在DRAM的矩阵存储单元中，地址可以分成行地址和列地址。在寻址时，必须先进行行寻址然后在进行列寻址，这是由DRAM的硬件电路所决定的。所以，对行地址线和列地址线进行共用，既节省了地址线，也不会降低DRAM原有的工作速率（因为DRAM的行地址和列地址就是要分时传送的）。而，如果是SRAM采用这种寻址方式的话，则会大大降低其工作速度。
那么，EM63A165TS只有13根地址线也就可以理解了，在其数据手册上可以知道，A0-A12是行地址线，同时A0-A8复用为列地址线，那么就有了22根地址线，2^22=4M。
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