对于
存储器产业，我们的理解盲区无处不在。很多人都知道全球 DRAM 产业规模在 1000 亿美金级别，但是应该没多少了解在 25 年前和 4 年前这个产业的规模？
某些学界和产业界的朋友不缺行业知识，但是普遍会从资本回报角度考虑问题，认为回报太差，没有人愿意投。而投资界又认为，这个东西太难了，否则为什么会垄断？核心技术都不在我们这里，难度巨大。
这是一种错位。事实上，我们国内长江存储的 3D Nand 在“短”的时期内就有了“巨大的突破”，而合肥长鑫的 DRAM 也有了非常好的进展。只要钱和人到位，存储器领域远不是我们曾经想的样子。
01 日韩半导体产业的套娃式发展
1963 年，在晶体管发明十五年后，日本电气（NEC）公司从美国仙童半导体公司获得了平面技术授权。同时，在日本政府的要求下，这项平面技术通过授权被共享给了其他日本公司。三菱、东芝、松下等都开始进入半导体产业，日本半导体产业真正开始爆发。
彼时，距离盛田昭夫从美国带回晶体管专利的授权已经过去了十年。这十年，日本依然深陷战后重建的巨大灾难中，半导体产业发展极为缓慢。
可以说，1963 年是日本半导体产业崛起的起点。日本走上了一条极其顺理成章的道路：
引进 ->投资 ->生产 ->引进 ->投资 ->生产…
日本引进美国的半导体技术几乎没有任何阻力。当时，美国的战略中心在西伯利亚，而日本是他最放心的弟弟，“驻军即正义”让美国人认为一切皆在掌控中。
工匠日本在超车道上狂飙十年后，已经开始可以在全球市场上挤压美国产品的市场，甚至美国国内也开始采购日本生产的半导体。
这让美国特别无语又无奈。那时的 Intel、仙童半导体，一开始希望通过竞争赢回失去的光辉，但是无论怎么竞争，在产品质量、成本以及稳定性上都无法全面超越日本。这是美日半导体摩擦和中美完全不同的第一点。美日半导体摩擦，游说政府出台禁令停止向日本输入半导体技术的是产业界。而中美的科技对抗，挑头的是美国政府，这有本质的不同。一个是产业行为，一个是政治事件。第二点不同，中国现在并没有像当年的日本那样“强壮”，强壮到可以开始压制美国。
这意味着，中美之间的科技对抗，并不仅仅是一个产业问题。
美国暂停向日本出口技术，这让日本半导体产业一度出现休克。后来 1976-1980 年这五年里，在日本政府的推动下，日本成立了 VLSI（超大规模集成电路）联盟。VLSI 取得了巨大的成功，64Kbit DRAM 比美国研发成功还早了半年，256Kbit DRAM 研发成功超越美国一年。
与此同时，日本产业界开始采用民用“消费电子”推动集成电路产业发展的“新模式”。过去，无论是美国还是日本，半导体产业发展的最大推动力，都是政府和军方。不同的是，日本只有政府在推动，因为美国军方的持续推动，让日本没有了“军方”…
1980s 年代，日本电气（NEC）、东芝和日立三大厂商长时间占据世界前三大半导体厂商的位置，强如 Intel 只能屈居第四位。即使后来有了《日美半导体协议》，日本依然在 1985 年 -1992 年这八年间，超越美国成为了世界最大的半导体制造国。
日本对于 DRAM 的理解，完全来自于对于美国技术的引进。通过十年的积累和沉淀，以及对于技术的初步理解，日本已经可以实现产品本身的赶超。
这里有一个关键点：DRAM 的技术难度本身，并没有达到一个非常高的维度，与后来的 CPU 以及现在的智能手机 SoC 并不是一个设计难度。
日本能在 DRAM 领域成功的另一个核心是：
存储领域制造大于设计，稳定大于性能。谁能够在一个集成电路上集成更多稳定的存储单位，“能够制造出稳定的存储器”，是产业获胜的关键因素之一。而这恰恰是日本工匠哲学的基本要求。在稳定性得到保证之后，之后才是其他特性。
基于同样的逻辑，韩国半导体产业在美国和日本的产业基础上，乘胜追击。1965 年 6 月 22 日，双方签署了《日韩基本条约》，正式建立了大使级外交关系，日韩邦交正常化。根据《日韩基本条约》的规定，韩国也事实上放弃了对日本的赔款索求。
作为回馈，日本以东芝为代表的的半导体厂商，开始在韩国投资设厂，这成为日后日本半导体厂商被韩国财阀彻底挤出 DRAM 市场的起点。
事实上，韩国半导体产业是从美日半导体厂商的组装基地这个角色开始的, Motorola、Fairchild 等都在韩国建立了 DRAM 的组装厂。
1973 年，韩国成立了国家科学技术委员会，制定了一系列重大技术的发展计划。1974 年，韩裔美籍半导体专家姜基东创立了韩国本都第一家半导体公司——韩国半导体（Hankook 半导体，后被三星收购）。
韩国这时候的操作和角度，比日本更刁钻。日本在韩国设厂，技术基本上被韩国完全摸走。韩国在自己的土地上，从日本获得了美国的技术。
重要的是，美国暂停向日本出口技术的时候，没韩国人什么事。
但是日本的遭遇，韩国看在眼里，一样的惶恐。于是在 1981 年，韩国在日本的“掩护”下，推出了自己的 VLSI 计划，名为《半导体工业综合发展计划》，这个比日本的 VLSI 要和谐多了。因为 VLSI 当时美国也处在发展初期，是名副其实的顶尖技术。而韩国的综合发展计划，并没有那么的扎眼。
在韩国政府的支持下，三星、现代以及 LG 开始大规模的进入集成电路制造领域，而综合发展计划，实质上也正是为了支持 4M bit、256M bit DRAM 的研发，是当时最为先进的东西。
图 1：美日韩 DRAM 技术发展路径对比
资料来源：金麟洙著 . 从模仿到创新, 北京:新华出版社, 1997:175.
至此，韩国已经“赢了”。先是从日本在自己家的工厂（技术换市场）弄来美国的技术。然后借着日本的掩护，发力最先进的 DRAM。在这件事上，真的不服不行。
在韩国的发展过程中，政府承担了新技术开发的几乎所有风险。韩国半导体公司在开发 1M~16M 的 DRAM 期间，政府投资 500 亿韩元，占比超过 55%。16M 和 64M 的 DRAM 更加夸张，政府科研投资 750 亿韩元，占比 83%。
回顾日本和韩国在半导体领域内的发展，发现一个基础事实，就是两个国家极其类似。首先都是从美国获取技术，实现产业化，都是通过引进、吸收后，政府开始大规模投入。
最重要的是：日本和韩国的自主研发，都成功了。这值得深思。存储器行业讲求高度标准化,产品差异化小，他不像处理器一样有不同的逻辑运算需求。正如前面讲的，存储器的稳定性和制造能力，是最为重要的，而设计其次。
存储器的设计难度，远小于 CPU 以及 SoC 或是 FPGA。存储器的设计难点，更多集中在 I/O 传输上。
前面内容，对【上篇】进行了一些补充，同时为了说明一个观点：
存储器的设计没有想象中的那么难，并不像国产 CPU 以及操作系统那样久攻不克，同时像光刻机那样根本没有看到商业化的大门。存储器对于制造和稳定性有极高的要求，这是制造业的范畴。而中国，最擅长的就是 Made in China。
02 中国在存储器领域的两次机会错失
第一次机会，1965-1978 年。
1965 年，中国成功研制出第一块硅基数字电路，其实这个起步并不比日本真正晚多少，甚至质量水平还要优于韩国。
一直到 1977 年，我们国家的集成电路在完全封闭的环境下，以搞两弹一星的思路发展了十二年。这期间，在国家的大力支持下，学术界和产业界先后组织了三次全国规模的 LSI（大规模集成电路）及其基础材料的大会战，成功研制了 1K bit DRAM 以及 P 沟道 1K bit MOS 移位寄存器，还有 MOCVD 生长 GaAs 技术和 GaAs 微波场效应晶体管。
当时的中国半导体产业处在一种无序的状态里，叠加当时的社会状态，谁都不知道未来应该做什么、做什么是有意义的。
而这十二年，先是日本、后是韩国在 DRAM 领域高速狂飙的年代。这有着特定的历史机缘，不过即使是正常的发展，我们也无法从美国或是日本获得技术支持。只是这让中国的存储器产业实打实的落后了先进国家至少十年，这是起步的十年。
第二次机会，1978-1994 年。
1982 年，国务院成立了电子计算机和大规模集成电路领导小组，简称“大办”。1983 年，针对当时多头引进、重复布局的情况，大办提出要“治散治乱，建立南北两个基地和一个点”的发展战略。南方基地主要集中在江浙沪，北方主要是京津和沈阳。一个点是指西安，主要为航天配套。
此后，1986 年，电子工业部在厦门召开集成电路发展战略研讨会，提出“七五”期间，集成电路的“531”计划，即推广 5um 技术，开发 3um 技术，进行 1um 技术的公关。
四年后的 1989 年集成电路发展战略研讨会，又提出注重发展专用电路。此时美国和日本的 DRAM 已经进入到 16M 的最后研发阶段，韩国也实现了对日本 DRAM 产业的技术追赶，而我们国内还基本为 0。
1990 年 8 月，机械电子工业部提出集成电路“908”工程计划。12 月 15 日，中共中央政治局听取了汇报，同意实施 908 工程。最终，在 1992 年 3 月上报的具体项目建议书中，主要内容如下：
1. 建设一条 150mm、特征尺寸 1um/0.8um、月产能 2 万片、年产 3000 万块的大规模集成电路生产线；
2. 建设一批集成电路设计中心；
3. 建立一个封装厂和掩模板制作中心；
4. 对 6 个专用设备、仪器厂进行改造，形成设备配套；
5. 建立 150mm 硅片和多晶硅的供应能力。
908 工程的参与者几乎全部是国企。封装项目由上海无线电十九厂和松下承担，掩膜版项目由中科院上海冶金研究所承担，和杜邦合资。
908 工程从一开始，其实就进入到了美国人的视野中，在美国的眼中这是重大的国家安全风险…而这将近二十年的时间，海外半导体产业，尤其是 DRAM 产业已经发生了翻天覆地的变化。日本和美国签了两次半导体协议，还签了广场协议，韩国也在乱局中迎合美国，对日本实现了反超。
事实上，一直到 909 工程末期，1999 年 2 月 23 日上海华虹 NEC 电子的 200mm 生产线正式建成投产之前，中国本土根本没有规模化的 DRAM 生产线。而 1999 年建成的，工艺也只是 0.5um/0.35um，生产的核心产品为 64M bit DRAM。同时，前五年的运营管理权属于日本电气（NEC）。
彼时，韩国早已取代日本，在 DRAM 领域内领先。而美国事实上也退出了 DRAM 市场，DRAM 产业格局已经塑造完成。
在从 1965 年开始的三十年间，中国错过了两次大的存储器产业机遇。一次在起步期，我们因为特殊的历史原因，错过了最宝贵的十年。一次在产业格局塑造的混战期，时间长达二十年。在这二十年中，美国、日本、韩国交替领先。其中有产业因素，更多的是政治诉求和金融做局，最终形成了韩国+日本垄断的产业事实。中国本能够在日韩竞争初期（80 年代末 90 年代初），就引入日本电气（NEC），这对于中国和日本都是好的选择。
中国错过了最好的“浑水摸鱼”的时期，这时候的“市场换技术”阻力最小，日本也需要在困局之下有所突围。而对于中国，能够在 90 年代初就直接切入到 64M DRAM 的生产，和 1999 年开始生产，这前后是十年的产业差距。
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